Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0

Артикул:965521
Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0
Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0
Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0
Артикул:965521

Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0

Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0 имеет хороший резерв памяти в 8 ГБ, расположенный на одном надежном модуле. Такого запаса хватает для установки самых современных видеоигр, обработки фото- и видеофайлов, хранения архивов разных объемов. Память обладает тактовой частотой в 1600 МГц и пропускной способностью высокого уровня в 12800 Мбит/сек. Тайминги CAS-латентности, задержки между активацией строки и ее предзарядом составляют 11 тактов, память работает бесперебойно и быстро.
3 190 руб.
Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0 имеет хороший резерв памяти в 8 ГБ, расположенный на одном надежном модуле. Такого запаса хватает для установки самых современных видеоигр, обработки фото- и видеофайлов, хранения архивов разных объемов. Память обладает тактовой частотой в 1600 МГц и пропускной способностью высокого уровня в 12800 Мбит/сек. Тайминги CAS-латентности, задержки между активацией строки и ее предзарядом составляют 11 тактов, память работает бесперебойно и быстро.
  • Артикул 965521
  • Склады На Cавеловской
  • Производитель Samsung
  • Объем памяти RAM 8 Гб
  • Радиатор Нет
  • Рейтинг 5
  • Гарантия 1 год
  • Объем одного модуля 8Gb
  • Частота памяти 1600 МГц
  • Тип комплектации OEM
  • Тип памяти DDR3
  • Тактовая частота 1333 МГц
  • Пропускная способность 12800 МБ/с
  • Количество модулей в комплекте 1
  • KIT Нет
  • CAS Latency (CL) 11
  • RAS to CAS Delay (tRCD) 11
  • Row Precharge Delay (tRP) 11
  • Ранков 2
  • Количество контактов 240
  • Код производителя M378B1G73EB0-CK0
  • Напряжение питания 1.5 В
Samsung 8GB 1600MHz CL11, DDR3 M378B1G73EB0-CK0
3 190 руб.